提高半导体图形解析度的方法

摘要

本发明欲提供一种提高半导体图形解析度的方法，藉由至少二次离子斜向入射的程序而提高微影制程的解析度，其包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光阻层；去除该光阻层之一部分以形成一开口，露出该第一蚀刻层的一槽底部分；将一第一离子以一第一入射角度植入该槽底部分的一第一植入区，且该第一入射角度系介于0到90度之间；以及将一第二离子以一第二入射角度植入该槽底部分的一第二植入区，其中该第一入射角度系介于0到90度之间，且该第二植入区与该第一植入区不相邻。