发明名称 具有矽通孔之半导体晶片构造及其堆叠组合
摘要 揭示一种具有矽通孔之半导体晶片构造及其堆叠组合。该半导体晶片构造包含复数个焊垫,设置于一半导体基板之上下表面。该半导体基板系具有复数个通孔,以垂直贯穿对应之焊垫。复数个第一凸缘环系突出地设置于该些位在该半导体基板上表面之焊垫上,以使其对应焊垫具有接触表面,其系位于该些第一凸缘环与该些通孔之间。复数个第二凸缘环系突出地设置于该些位在该半导体基板下表面之焊垫上,以使其对应焊垫具有一接触表面,其系围绕在该些第二凸缘环之外。并且,第二凸缘环系具有可嵌入于第一凸缘环之尺寸,利用晶片堆叠时凸缘环之上下嵌合,可达成晶片准确对位及避免位移,并可达成一种晶片堆叠制程,可先晶片堆叠再将填孔物质填入该些通孔,填孔物质不会溢流而无邻接通孔电性短路之问题,符合矽通孔微间距之要求。
申请公布号 TWI362735 申请公布日期 2012.04.21
申请号 TW097108585 申请日期 2008.03.11
申请人 力成科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 发明人 陈酩尧
分类号 H01L23/525;H01L21/60;H01L25/04 主分类号 H01L23/525
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号