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发明名称
场发射电子源及其制备方法
摘要
本发明涉及一种场发射电子源,其包括一导电基体和一奈米碳管长线。该奈米碳管长线具有一第一端及与第一端相对的第二端,该奈米碳管长线的第一端与该导电基体电连接,该奈米碳管长线的第二端从导电基体向外延伸。本发明还涉及一种场发射电子源的制备方法,其包括以下步骤:提供一奈米碳管长线;熔断该奈米碳管长线;将熔断后的奈米碳管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
申请公布号
TWI362675
申请公布日期
2012.04.21
申请号
TW096142407
申请日期
2007.11.09
申请人
鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号
发明人
魏洋;陈卓;刘亮;范守善
分类号
H01J1/304
主分类号
H01J1/304
代理机构
代理人
主权项
地址
新北市土城区自由街2号
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