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发明名称
半导体元件及其制法
摘要
一种半导体元件,其包括由具低熔点的导电性聚合层所形成的保险丝图案。该保险丝图案在低温下即可轻易切割,因此可以改善修复的效率。该半导体元件包括:第一与第二保险丝连接图案,其彼此隔开一段距离;保险丝图案,其包括形成在第一与第二保险丝连接图案之间的导电性聚合层,而将第一与第二保险丝连接图案连接起来;以及保险丝盒结构,其暴露出保险丝图案。
申请公布号
TWI364092
申请公布日期
2012.05.11
申请号
TW097118060
申请日期
2008.05.16
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
朴亨镇
分类号
H01L21/822;H01L27/04
主分类号
H01L21/822
代理机构
代理人
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址
南韩
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