贴合ＳＯＩ晶圆之制造方法及藉由该方法制造之贴合ＳＯＩ晶圆

摘要

本发明系提供一种贴合SOI晶圆之制造方法，其系于贴合前的晶圆表面，在有机物存在的状态下进行贴合，于贴合界面，封入该有机物的状态下藉由进行接合强化热处理，使贴合界面形成结晶缺陷后制造贴合SOI晶圆，如此可于SOI层与绝缘体层(氧化膜)的界面简单地且廉价地形成除气源。而且，藉由该方法所制造之本发明的贴合SOI晶圆，可有效地除去对于元件特性、氧化膜耐压特性有不良影响之重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的贴合SOI晶圆，可广泛地利用作为元件特性佳之SOI晶圆或其制造方法。