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发明名称
超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体元件
摘要
本发明提供一种超平坦化学机械抛光技术(Super Flat Chemical Mechanical Polishing(SF-CMP))之方法,其主要为一种在一半导体之制造过程中用以取代雷射剥离(laser lift-off)之方法。SF-CMP主要步骤为在待抛光之一表面上,先植入复数个抛光停止点后再进行抛光。其特征在于该等抛光停止点之材料之硬度大于该表面之材料之硬度。此方法可在无需移除抛光停止点之情形下获得超平坦之抛光表面。
申请公布号
TWI365492
申请公布日期
2012.06.01
申请号
TW096123544
申请日期
2007.06.28
申请人
香港应用科技研究院有限公司 香港
发明人
蔡勇;褚宏深
分类号
H01L21/304
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
香港
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