| 摘要 |
今日随着微细化的进展，针对用于取代SRAM之半导体记忆体之需求孔急。然而，如何实现兼具与逻辑电晶体之制程整合性、及降低成本，是待解决之问题。;本发明系在同一晶片内具有逻辑部与记忆体部之半导体装置；其特征在于，记忆体部之单位记忆格至少具有二个电晶体；上述一个电晶体系实施储存电荷存取之写入电晶体；上述其他电晶体系读出电晶体，其系依存于写入电晶体所存取之储存电荷量，使设置于其源极汲极间之电导产生变化者；上述读出电晶体系使用比逻辑部之电晶体更厚之闸极绝缘膜者；上述读出电晶体系使用与逻辑部相同之扩散层结构者。 |
