半导体装置之制造方法

摘要

本发明之目的为在具有利用波希法所形成之通孔的半导体装置之制造方法中，达成于通孔内之均匀成膜。本发明之解决手段为：以遮罩层2作为遮罩，利用波希法从半导体基板1之一方的面向另外一方的面之方向进行蚀刻，而形成将该半导体基板1之预定区域予以贯通的通孔3。其次，去除遮罩层2。其次，藉由乾蚀刻法将扇贝状4去除，且将通孔3之内壁面予以平坦化。接着，于通孔3内将绝缘膜或阻障层等均匀地予以成膜。