| 摘要 |
<p>La première électrode du transistor comprend une première région électriquement conductrice (S) ménagée au sein du substrat semiconducteur (SB), la deuxième électrode comprend une deuxième région électriquement conductrice (D) ménagée au sein du substrat semiconducteur (SB); les première et deuxième régions étant séparées par ladite région de substrat (BK); l'électrode de commande comprend une troisième région électriquement conductrice (G) ménagée au sein du substrat, et la troisième région électriquement conductrice est à la fois séparée de ladite région de substrat (BK) par une région isolante (OXG) et électriquement couplée à ladite région de substrat par une diode à jonction (DD) destinée à être polarisée en inverse.</p> |
