发明名称 光可硬化噻吩系反应单体、酚-噻吩衍生物反应寡聚物及其应用
摘要 本发明揭示了一种噻吩系反应单体,其结构式如下:其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,Z包含下列族群中之一者:-I -Br -Cl -B(OR3)2其中,R3基团系为氢原子、C1-C10烷基或C1-C10芳香族基团,上述噻吩系反应单体可以藉由Z基团与其他具有Z基团之噻吩系单体或酚系衍生物进行铃木耦合(suzuki coupling)聚合。
申请公布号 TWI378948 申请公布日期 2012.12.11
申请号 TW096140949 申请日期 2007.10.31
申请人 国立台湾大学 发明人 谢国煌;陈文章;陈方中;蔡丰羽;巫昇炎;刘铮达
分类号 C08G61/12 主分类号 C08G61/12
代理机构 代理人 吴家业 台北市大安区新生南路1段143之1号3楼
主权项 一种噻吩系反应单体,该噻吩系反应单体之结构式如下:@sIMGTIF!d10024.TIF@eIMG!其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10025.TIF@eIMG!其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,Z包含下列族群中之一者:-I -Br -Cl@sIMGCHAR!d10050.TIF@eIMG!。一种具有多层结构之太阳能电池,其中,该多层结构包含:一阴极;一光作用层(photo-active layer),该光作用层系藉由一作为电子予体(electron donor)之高分子材料与一电子受体(electron acceptor)材料混成(hybrid),其中,该高分子材料具有交替出现之至少一电子授予基团与至少一电子接受基团,该电子授予基团包含至少一结构如下:@sIMGTIF!d10026.TIF@eIMG!其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10027.TIF@eIMG!其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,Z包含下列族群中之一者:-I -Br -Cl@sIMGCHAR!d10051.TIF@eIMG!。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之电子授予基团更包含一结构选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10028.TIF@eIMG!其中,R4基团包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,R5基团系为下列族群中之一者:-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10052.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10053.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10054.TIF@eIMG!。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之电子接受基团包含一结构选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10029.TIF@eIMG!如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之高分子材料系为随机共聚物,其一般式如下:@sIMGTIF!d10030.TIF@eIMG!其中,x系为自然数,y系为大于或等于0的整数。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之高分子材料系为随机共聚物,其一般式如下:@sIMGTIF!d10031.TIF@eIMG!其中,R4基团包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,x,y系为自然数,z系为大于或等于0的整数。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之高分子材料系为随机共聚物,其一般式如下:@sIMGTIF!d10032.TIF@eIMG!其中,R5基团系为下列族群中之一者:-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10055.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10056.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10057.TIF@eIMG!,x,z系为自然数,y系为大于或等于0的整数。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之高分子材料系为随机共聚物,其一般式如下:@sIMGTIF!d10033.TIF@eIMG!其中,R4基团包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,R5基团系为下列族群中之一者:-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10058.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10059.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10060.TIF@eIMG!,x,y,z’系为自然数,z系为大于或等于0的整数。如申请专利范围第2项中之具有多层结构之太阳能电池,其中上述之电子受体(electron acceptor)材料包含下列族群中之一者:具有不饱和双键之奈米碳管与具有不饱和双键之碳六十。一种应用于太阳能电池中之光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物,该光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物之结构式如下:@sIMGTIF!d10034.TIF@eIMG!其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10035.TIF@eIMG!其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,R4包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,R5系为下列族群中之一者:-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10061.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10062.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10063.TIF@eIMG!,R6包含下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、-C1-C18芳香族基团与-C=C,R7与R8可以相同或不同,R7与R8系独立选自下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10065.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10064.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10066.TIF@eIMG!,且R7与R8两者至少有一选自下列族群中之一者:-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10067.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团,R9系为下列族群中之一者:氢原子、-C1-C18烷基与-C1-C18芳香族基团,R10包含下列族群中之一者:-NH2、-SH、-OH、-SO3H及其盐类,y,m系为自然数,x、z与n系为大于或等于0的整数。一种应用于太阳能电池中之光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物,该光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物之结构式如下:@sIMGTIF!d10036.TIF@eIMG!其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10037.TIF@eIMG!其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,R4包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,R6与R11包含下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、-C1-C18芳香族基团与-C=C,R7与R8可以相同或不同,R7与R8系独立选自下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10068.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10069.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10070.TIF@eIMG!,且R7与R8两者至少有一选自下列族群中之一者:-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10071.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团,R9系为下列族群中之一者:氢原子、-C1-C18烷基与-C1-C18芳香族基团,R10包含下列族群中之一者:-NH2、-SH、-OH、-SO3H及其盐类,x’,y系为自然数,z、m与n系为大于或等于0的整数。一种应用于太阳能电池中之光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物,该光可硬化酚-噻吩衍生物反应寡聚物之结构式如下:@sIMGTIF!d10038.TIF@eIMG!其中,R1与R2可以相同或不同,且R1与R2系独立选自下列族群中之一者:@sIMGTIF!d10039.TIF@eIMG!其中,R1与R2不同时为氢原子,R系为C2-C6烷基,R4包含下列族群中之一者:-H,-CN,-OH,-NO2,-NH2与-C=C,R6与R12包含下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、-C1-C18芳香族基团与-C=C,R7与R8可以相同或不同,R7与R8系独立选自下列族群中之一者:-H、-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10072.TIF@eIMG!、-C1-C18芳香族基团、-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10073.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团与@sIMGCHAR!d10074.TIF@eIMG!,且R7与R8两者至少有一选自下列族群中之一者:-O-C1-C18烷基、@sIMGCHAR!d10075.TIF@eIMG!、-O-C1-C18芳香族基团,R9系为下列族群中之一者:氢原子、-C1-C18烷基与-C1-C18芳香族基团,R10包含下列族群中之一者:-NH2、-SH、-OH、-SO3H及其盐类,x”,y系为自然数,z、m与n系为大于或等于0的整数。
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号