非挥发性记忆体装置和用于写入资料至非挥发性记忆体装置之记忆体单元的方法

摘要

一种非挥发性记忆体，例如快闪记忆体，系藉由写入资讯窗(window of information)(515)至记忆体而被程式化。对于每一窗可动态地判断每一记忆体单元(201)的程式化/非程式化状态并且储存该状态为指示位元。这些技术可用于改善平均电力消耗(drain)并且减少在程式化过程中每一窗的最大电流。

主权项

一种非挥发性记忆体装置，包括：非挥发性记忆体单元(201)之阵列，包括：复数个之记忆体单元(201)之群组(225)；以及复数个记忆体单元，用以分别指出在该等群组(225)之其中一个群组中的该等记忆体单元(201)是否为程式化或非程式化状态来表示逻辑0或逻辑1，其中，该等复数个记忆体单元之各者均包含SONOS(矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽)型NOR记忆体单元，而该SONOS型NOR记忆体单元系储存至少三个位元，并且其中，该复数个记忆体单元是可程式化的。如申请专利范围第1项之记忆体装置，复包括：控制逻辑(106)，配置以动态地判断在该等群组(225)之其中第一个群组中的该等记忆体单元是否为程式化或非程式化状态来表示逻辑0或逻辑1。如申请专利范围第2项之记忆体装置，其中当动态地判断时，该控制逻辑(106)配置以分析位元的逻辑状态，该等位元将被写入至该第一群组中的该等记忆体单元。如申请专利范围第3项之记忆体装置，其中当分析逻辑状态时，该控制逻辑(106)配置以判断将被写入至该第一群组之该等位元之其中少数之该逻辑状态。如申请专利范围第1项之记忆体装置，其中在群组(225)内的该等记忆体单元(201)系被同时程式化。一种用于写入资料至非挥发性记忆体装置之记忆体单元的方法，该方法包含接收预定数量之将被写入的位元，且该方法的特征在于：分析该预定数量之位元以判断少数之该等位元的逻辑状态；藉由程式化那些对应于该少数之该等位元的位元而写入每一该等位元至在该记忆体装置中的记忆体单元，该记忆体单元包含SONOS型NOR记忆体单元，而该SONOS型NOR记忆体单元系储存至少三个位元；以及写入指示位元(725)，其指示该少数之该等位元的该判断之逻辑状态，并可予以程式化。如申请专利范围第6项之方法，其中该写入每一该等位元与该写入该指示位元(725)系同时被执行。如申请专利范围第6项之方法，其中程式化该预定数量之位元之对应于该少数之该等位元的位元，包含将电荷储存在对应于该等位元之该等记忆体单元(201)之个别电荷储存层中。如申请专利范围第6项之方法，复包括：对于该预定数量之位元之复数个部分写入个别的指示位元(725)。