蚀刻液以及使用此蚀刻液之薄膜电晶体的制造方法

摘要

一种蚀刻液，可用以蚀刻含铜的复层结构。此蚀刻液是以过醋酸为蚀刻的主成分。蚀刻液中还包括过醋酸稳定剂、有机酸、无机酸、盐类以及水。过醋酸的含量为蚀刻液总重量的0.5至40wt%。过醋酸稳定剂的含量为5至15wt%。有机酸的含量为5至10 wt%。无机酸的含量为5至15wt%。盐类的含量为8至15wt%。

主权项

一种薄膜电晶体的制造方法，包括：在一基板上形成一第一导电层，该第一导电层为一复层结构或是一单层金属层；进行一第一蚀刻制程，以图案化该第一导电层，形成一闸极；形成一介电层，以覆盖该闸极；在该介电层上形成一通道层；在该通道层上形成一第二导电层，其中该第二导电层为一复层结构或是一单层金属层；以及进行一第二蚀刻制程，以图案化该第二导电层，形成一源极与一汲极，其中该第一蚀刻制程与该第二蚀刻制程所使用的一蚀刻液蚀刻包括过醋酸、过醋酸稳定剂、有机酸、无机酸、盐类以及水。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该过醋酸的含量为蚀刻液总重量的0.5至40wt%。过醋酸稳定剂的含量为5至15wt%。有机酸的含量为5至10 wt%。无机酸的含量为5至15 wt%。盐类的含量为8至15wt%。水的含量为15至75wt%。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该有机酸选自于由醋酸(Acetic Acid)、柠檬酸(Citric Acid)、草酸(Oxalic Acid)、酒石酸(Tartatic Acid)及其混合物所组成之族群。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该无机酸选自于由H2SO4、HNO3、HCl、H3PO4及其混合物所组成之族群。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该盐类选自于由KCl、NaCl、KHSO4、KIO4、(NH4)HPO4、CH3COONH4、CH3COONa、CH3COOK及其混合物所组成之族群。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该复层结构包括一第一金属层与一第二金属层，其中第一金属层之材质包括铜及其合金；该第二金属层之材质是选自于由钼、银、钽、钛、铝、铬、镍、钨、金及其合金所组成之族群，该单层金属层为铜合金层，且该铜合金层之铜合金元素选自于由镁、银、铬、钨、钼、铌、氮、银、钌、碳及其混合合金所组成之族群。如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该复层结构包括该第一金属层/该第二金属层结构或该第二金属层/该第一金属层/该第二金属层结构。如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该复层结构与该单层金属层的形成方法可以采用溅镀、蒸镀、电镀或无电镀方式。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该图案化导电层结构为薄膜电晶体液晶显示器或电浆显示器之金属导线。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造方法，其中该图案化导电层结构为导线、接触部、源极/汲极、资料配线或扫瞄配线。