发光装置及其制造方法

摘要

特别于其一包括含有有机化合物或无机化合物之层的发光元件系由一薄膜电晶体(TFT)所驱动之情况下，需要一具有至少两个安装有一驱动TFT之电晶体的结构，以防一切换TFT之ON电流的不规则性被提供至一像素区。因此，由于大型基底之频繁使用，所以用以制造半导体元件之结构及程序的简化变为一急迫的工作。依据本发明，在其一源极区及一汲极区被形成之后，一作用为一通道保护膜之绝缘膜被形成以覆盖一作用为通道区之部分，接着，一岛状半导体膜被形成。因此，可仅藉由使用一金属遮罩以制造一半导体元件而不形成一抗蚀剂遮罩，因而可简化制程。

主权项

一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分以形成一岛状半导体膜；其中一接触孔系藉由移除闸极绝缘膜之至少一部分而被形成于用以驱动之第二半导体元件的闸极电极层上；及一用以连接源极电极或汲极电极至第二半导体元件之闸极电极层的布线系藉由经接触孔以排出一含有第三导电材料之复合物而被形成。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分及闸极绝缘膜之一部分以形成一岛状半导体膜及一岛状闸极绝缘膜；其中一接触孔系藉由移除闸极绝缘膜之至少一部分而被形成于第二半导体元件之闸极电极层上；及一用以连接源极电极或汲极电极至第二半导体元件之闸极电极层的布线系藉由经接触孔以排出一含有第三导电材料之复合物而被形成。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分以形成一岛状半导体膜；其中一圆柱状导体系藉由排出一含有相同或不同于第一导电材料之导电材料而被形成于第二半导体元件之一闸极电极层的一部分上，在形成闸极绝缘膜之前；及一用以连接源极电极或汲极电极至圆柱状导体之布线系藉由排出一含有第三导电材料之复合物而被形成。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分及闸极绝缘膜之一部分以形成一岛状半导体膜及一岛状闸极绝缘膜；其中一圆柱状导体系藉由排出一含有相同或不同于第一导电材料之导电材料而被形成于第二半导体元件之一闸极电极层的一部分上，在形成闸极绝缘膜之前；及一用以连接源极电极或汲极电极至圆柱状导体之布线系藉由排出一含有第三导电材料之复合物而被形成。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分以形成一岛状半导体膜；其中一布线系藉由排出一含有第三导电材料之复合物以接触与源极电极或汲极电极而被形成；一接触孔系藉由使用布线为一遮罩以移除闸极绝缘膜之至少一部分而被形成于第二半导体元件之一闸极电极层上；及一用以连接布线至第二半导体元件之闸极电极层的导体系藉由排出一含有第四导电材料之复合物而被形成接触孔上。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一第一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一导电型式之杂质元素的第二半导体膜于第一半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于第二半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除第二半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为第一半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除第一半导体膜之一部分及闸极绝缘膜之一部分以形成一岛状半导体膜及一岛状闸极绝缘膜；其中一接触与源极电极或汲极电极之布线系藉由排出一含有第三导电材料之复合物以接触与源极电极或汲极电极而被形成；一接触孔系藉由使用布线为一遮罩以移除闸极绝缘膜之至少一部分而被形成于第二半导体元件之一闸极电极层上；及一用以连接布线至第二半导体元件之闸极电极层的导体系藉由排出一含有第四导电材料之复合物而被形成接触孔上。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一具一导电性型式之杂质元素的半导体膜于半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于其含有单一导电性杂质元素之半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除其含有单一导电性杂质元素的半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除半导体膜之一部分以形成一岛状半导体膜。一种用以制造一发光装置之方法，此发光装置具有至少一用以切换之第一半导体元件及一用以驱动之第二半导体元件于发光装置之一像素中，该方法包含下列步骤：为了形成用以切换之第一半导体元件及用以驱动之第二半导体元件，藉由排出一含有第一导电材料之复合物以形成一闸极电极层于一基底上；形成一闸极绝缘膜于闸极电极层上；形成一半导体膜于闸极绝缘膜上；形成一含有一具一导电性型式之杂质元素的半导体膜于半导体膜上；藉由排出一含有第二导电材料之复合物以形成一源极电极及一汲极电极于其含有具一导电性型式之杂质元素的半导体膜上；藉由使用源极电极及汲极电极为一遮罩而移除其含有一具一导电性型式之杂质元素的半导体膜之一部分以形成一源极区及一汲极区；形成一第二绝缘膜于一作用为半导体膜中之一通道区的部分上；藉由使用源极电极、汲极电极、及第二绝缘膜为一遮罩而移除半导体膜之一部分以形成一岛状半导体膜及一岛状闸极绝缘膜。一种依据申请专利范围第1-8项之任一项的用以制造一发光装置之方法，其中第二绝缘膜包含一选自由聚醯亚胺、丙烯酸所组成之族群的材料、或一具有矽与氧之键结之材料，包含至少氢以当作取代基或者至少一选自由氟化物、烷基族、及芳香族碳氢化合物所组成之族群以当作取代基。一种具有由依据申请专利范围第1-8项之任一项的制造方法所制造之一发光装置的电场发光显示装置。