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一种记忆元件，其特征为，具备：第1电极及第2电极；和记忆层，系被设在前记第1电极与第2电极之间，并且具备离子源层；前记离子源层，系含有Te、S及Se当中之至少1种硫属元素，并且至少含有Zr及Al，前记离子源层中的Al含有量系为30原子%以上50原子%以下之范围。如申请专利范围第1项所记载之记忆元件，其中，前记离子源层系含Cu。如申请专利范围第1项或第2项所记载之记忆元件，其中，前记离子源层中的Zr之含有量，系为7.5原子%以上26原子%以下之范围。如申请专利范围第1项所记载之记忆元件，其中，相对于前记离子源层中所含之硫属元素的合计量，Zr之组成比率(=Zr(原子%)/硫属元素之合计(原子%))，系为0.2以上0.74以下之范围。如申请专利范围第1项所记载之记忆元件，其中，前记离子源层系含Ge，前记离子源层中的Ge之含有量系为15原子%以下。如申请专利范围第1项所记载之记忆元件，其中，前记记忆层，系与前记离子源层一起具有电阻值高于前记离子源层的高电阻层。如申请专利范围第1项所记载之记忆元件，其中，藉由对前记第1电极及前记第2电极的电压施加，以在前记记忆层内形成至少含有前记Zr的电流路径，或是藉由至少由前记Zr所造成的多数缺陷之形成，以降低电阻值。一种记忆装置，其特征为，具备：复数记忆元件，系具有记忆层，其系在第1电极与第2电极之间含有离子源层；和脉冲施加手段，系用来对前记复数记忆元件选择性地施加电压或电流之脉冲；前记离子源层，系含有Te、S及Se当中之至少1种硫属元素，并且至少含有Zr及Al，前记离子源层中的Al含有量系为30原子%以上50原子%以下之范围。如申请专利范围第8项所记载之记忆装置，其中，前记复数记忆元件，系记忆2值以上之多值资讯。如申请专利范围第8项所记载之记忆装置，其中，于相邻的复数记忆元件中，构成前记记忆元件之至少一部分的层，是由同一层所共通形成。如申请专利范围第8项所记载之记忆装置，其中，前记复数记忆元件中的共通的层系为高电阻层、离子源层及第2电极，前记第1电极系对每一元件个别地形成。 |
