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一种制造半导体元件之方法，该方法包含：形成硬遮罩图案于具有场氧化层之基板上；藉由使用该硬遮罩图案蚀刻该基板以形成凹槽；形成第一传导层于该凹槽与硬遮罩图案上；同时平坦化该第一传导层及该硬遮罩图案，藉此移除该硬遮罩图案；及形成第二传导层于该平坦化的第一传导层上。如申请专利范围第1项之方法，其中该硬遮罩图案包含氧化物系层。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一与第二传导层包含多晶矽层。如申请专利范围第1项之方法，其中平坦化第一传导层包含执行回蚀刻制程(etch-back process)。如申请专利范围第4项之方法，其中执行该回蚀刻制程直到曝露基板为止。如申请专利范围第4项之方法，其中该硬遮罩图案包含氧化物系层且第一传导层包含多晶矽层，及其中执行该回蚀刻制程包含使用多晶矽层与氧化物系层间约1：1的蚀刻选择性。如申请专利范围第6项之方法，其中执行回蚀刻制程包含使用包含三氟甲烷(CHF3)与六氟化硫(SF6)之气体。如申请专利范围第7项之方法，其中该气体之流量范围从约10sccm到约100sccm，及CHF3对SF6之流量比为约9：1。如申请专利范围第8项之方法，其中氧(O2)以从约1sccm到约10sccm的流量加至该气体。如申请专利范围第7项之方法，其中执行该回蚀刻制程包含使用从约3mtorr到约50mtorr的压力范围及从约50W到约400W之功率范围。如申请专利范围第4项之方法，其中该回蚀刻制程系于高密度电浆蚀刻设备中执行。如申请专利范围第1项之方法，其中又包含使用蚀刻气体执行乾蚀刻制程。如申请专利范围第12项之方法，其中该凹槽包含连接垂直颈部之圆形底部。如申请专利范围第3项之方法，其中该第一传导层之厚度为1000。一种制造半导体元件之方法，该方法包含：形成硬遮罩图案于具有场氧化层之基板上；藉由使用该硬遮罩图案蚀刻该基板以形成凹槽；形成第一传导层于该凹槽与硬遮罩图案上；藉由平坦化该第一传导层，移除由凹槽与该场氧化层之损害部所产生的高度差效应；及形成第二传导层于该平坦化的第一传导层上。如申请专利范围第15项之方法，其中该第一与第二传导层包含多晶矽层。申请专利范围第15项之方法，其中平坦化该第一传导层包含执行回蚀刻制程。如申请专利范围第16项之方法，其中该第一传导层之厚度为1000。如申请专利范围第17项之方法，其中该回蚀刻制程系于高密度电浆蚀刻设备中执行。如申请专利范围第17项之方法，其中该硬遮罩图案包含氧化物系层且该第一传导层包含多晶矽层，及其中执行该回蚀刻制程包含使用多晶矽层与氧化物系层间约1：1的蚀刻选择性。 |
