发光元件材料及发光元件

摘要

本发明之课题系提供一种发光元件材料，其特征为含有以下述通式(4)所示之芘化合物。;【化4】;(4);(R16~R28系为特定的官能基，惟X2为选自于以下述通式(5)所示之基中);【化5】;(5);(R29系为特定的官能基);藉由该材料可提供具有高发光效率与优异耐久性之发光元件。

主权项

一种发光元件材料，其特征为含有以下述通式(4)所示之芘化合物，@sIMGTIF!d10060.TIF@eIMG!(R16~R24系可分别为相同或不同，而选自氢、烷基、环烷基、烯基、芳基、杂芳基、氰基、胺基之中，R25~R28系可分别为相同或不同，而选自氢、烷基、环烷基、烷氧基、芳醚基、芳基、杂芳基、卤素、氰基、胺基之中，X2系选自下述通式(5)所示之基中，其中R17、R20、R22中至少一者为芳基或杂芳基)@sIMGTIF!d10061.TIF@eIMG!(R29系选自于氢、烷基、环烷基、芳基、杂芳基之中)。一种发光元件，其特征系在阳极与阴极之间至少存在有发光层，且藉由电能量发光之发光元件中，其中发光元件系含有如申请专利范围第1项之发光元件材料。如申请专利范围第2项之发光元件，其中发光层具有主要材料与掺杂材料，且含有通式(4)所示芘化合物之发光元件材料系掺杂材料。如申请专利范围第2或3项之发光元件，其中在发光层与阴极之间至少存在有电子输送层，且电子输送层含有具电子容受性氮之杂芳基环构造的化合物，具有杂芳基环构造之化合物系以选自碳、氢、氮、氧、矽、磷中之元素所构成。