晶圆研磨方法

摘要

一种晶圆研磨方法。晶圆研磨方法包括提供一晶圆，晶圆具有相对之一第一表面及一第二表面；形成至少一沟槽于第一表面，沟槽之深度大于或等于预定厚度；以及从第二表面研磨晶圆，直至晶圆被研磨至预定厚度。

主权项

一种晶圆研磨方法包括：提供一晶圆，该晶圆具有相对之一第一表面及一第二表面；形成至少一沟槽于该第一表面，该沟槽之深度大于或等于一预定厚度，其中该沟槽之形状实质上近似于该晶圆之边缘的形状；以及从该第二表面研磨该晶圆，直至该晶圆被研磨至该预定厚度。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中在该形成该沟槽之步骤中，该沟槽系邻近于该晶圆之边缘。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中在该形成该沟槽之步骤中，该沟槽系环绕成一封闭路径。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该晶圆更具有一凹口(notch)，该凹口系位于该晶圆之边缘，在该形成该沟槽之步骤中，该沟槽系位于该凹口与该晶圆之中心之间。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该形成该沟槽之步骤更包括：形成一光阻层于该第一表面；图案化该光阻层，以使已图案化之该光阻层具有一蚀刻开口，该蚀刻开口暴露预定形成该沟槽之部分该第一表面；以已图案化之该光阻层为遮罩，蚀刻(Etching)该第一表面以形成该沟槽。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该形成该沟槽之步骤更包括：贴附一保护薄膜于该第一表面，该保护薄膜具有一开口，该开口系暴露部分该第一表面；以及以一雷射切割该开口所暴露之部分该第一表面。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该形成该沟槽之步骤系形成二个以上沟槽于该第一表面。如申请专利范围第7项所述之晶圆研磨方法，其中该些沟槽系环绕成复数个封闭路径。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该预定厚度小于5英丝(mil)。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该预定厚度小于1英丝(mil)。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法，其中该第一表面为主动表面，该第二表面为非主动表面。