| 主权项 |
一种平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其系利用浮式法来制造平面面板显示器用玻璃基板者；其具备：成形步骤，其系将溶融玻璃于溶融锡上成形为玻璃基板；以及徐冷步骤，其系使藉由上述成形步骤而成形之上述玻璃基板徐冷；且具备：第1供给步骤，其系向上述玻璃基板之与上述熔融锡接触之侧的表面喷附含有硷金属之无机物质；以及第2供给步骤，其系于上述第1供给步骤之后，向上述玻璃基板之与上述熔融锡接触之侧的表面喷附SO2气体。一种平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其系利用浮式法来制造平面面板显示器用玻璃基板者；其具备：成形步骤，其系将溶融玻璃于溶融锡上成形为玻璃基板；以及徐冷步骤，其系使藉由上述成形步骤而成形之上述玻璃基板徐冷；且具备：第1供给步骤，其系向上述玻璃基板之未与上述溶融锡接触之侧的表面喷附含有硷金属之无机物质；以及第2供给步骤，其系于上述第1供给步骤之后，向上述玻璃基板之与上述溶融锡接触之侧的表面喷附SO2气体。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第1供给步骤系于上述成形步骤与上述徐冷步骤之间实施。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第1供给步骤系于上述玻璃基板之玻璃转移点±100℃之范围的温度下实施。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第1供给步骤系于550~750℃下实施。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第2供给步骤系于上述成形步骤与上述徐冷步骤之间实施。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第2供给步骤系于上述玻璃基板之玻璃转移点±100℃之范围的温度下实施。如请求项1或2之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述第2供给步骤系于550~750℃下实施。一种平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其系利用浮式法来制造平面面板显示器用玻璃基板者；其具备成形步骤，其系将熔融玻璃于熔融锡上成形为玻璃基板；且具备：第1供给步骤，其系于550~750℃下向上述玻璃基板之与上述熔融锡接触之侧的表面喷附含有硷金属之无机物质；以及第2供给步骤，其系于上述第1供给步骤之后，于550~750℃下向上述玻璃基板之与上述熔融锡接触之侧的表面喷附SO2气体。一种平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其系利用浮式法来制造平面面板显示器用玻璃基板者；其具备成形步骤，其系将熔融玻璃于熔融锡上成形为玻璃基板；且具备：第1供给步骤，其系于550~750℃下向上述玻璃基板之未与上述熔融锡接触之侧的表面喷附含有硷金属之无机物质；以及第2供给步骤，其系于上述第1供给步骤之后，于550~750℃下向上述玻璃基板之与上述熔融锡接触之侧的表面喷附SO2气体。2、9或10中任一项之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述含有硷金属之无机物质含有钠及硼。如请求项11之平面面板显示器用玻璃基板之制造方法，其中上述含有硷金属之无机物质为四硼酸钠。一种平面面板显示器用玻璃基板，其系利用请求项11或12之制造方法而制造者。一种平面面板显示器用玻璃基板，其系利用请求项11或12之制造方法而制造者，上述玻璃基板以氧化物为基准且以质量百分率表示，含有：SiO2：45~70%，Al2O3：0~20%，CaO：0~20%，ZrO2：0~13%，硷土金属氧化物成分之合计量：5~40%，硷金属氧化物成分之合计量：5~30%，上述玻璃基板之与上述溶融锡接触之侧的表面及/或上述玻璃基板之未与上述溶融锡接触之侧的表面之平均硼浓度为2~6原子%，且硼向上述玻璃基板之内部之扩散深度为20~80 nm。如请求项14之平面面板显示器用玻璃基板，其中自上述玻璃基板之未与上述溶融锡接触之侧的表面起至0.1 μm之深度为止之平均H原子浓度为2.5莫耳%以下。一种平面面板显示器用玻璃基板，其系利用请求项11或12之制造方法而制造者，上述玻璃基板以氧化物为基准且以质量百分率表示，含有：SiO2：45~70%，Al2O3：0~20%，CaO：0~20%，ZrO2：0~13%，硷土金属氧化物成分之合计量：5~40%，硷金属氧化物成分之合计量：5~30%，自上述玻璃基板之未与上述溶融锡接触之侧的表面起至0.1 μm之深度为止之平均H原子浓度为2.5莫耳%以下。 |
