系统层级的静电放电侦测电路

摘要

本发明提供一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源线上的静电放电电压之层级。该侦测电路包含一阻抗元件、一二极体单元以及一控制电路。该阻抗元件耦合在一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间。该二极体单元耦合在该电源线和该侦测节点之间并顺向朝向该电源线。该控制电路耦合至该侦测节点，基于该侦测节点的电压和该二极体单元之崩溃电压决定该静电放电电压之层级。

主权项

一种静电放电侦测电路，用以侦测在一电源线上的一静电放电电压之一层级，该侦测电路包含：一第一阻抗元件，耦合在一第一侦测节点和对应于该电源线之一接地节点之间；一第一二极体单元，耦合在该电源线和该第一侦测节点之间并顺向朝向该电源线，该第一二极体单元具有一第一崩溃电压；一控制电路，耦合至该第一侦测节点，用以基于该第一侦测节点的电压和该第一崩溃电压决定该静电放电电压之该层级；一第二阻抗元件，耦合在一第二侦测节点和该接地节点之间；以及一第二二极体单元，耦合在该电源线和该第二侦测节点之间并顺向朝向该电源线，该第二二极体单元具有和该第一崩溃电压不同之一第二崩溃电压；其中该控制电路亦耦合至该第二侦测节点，而且该控制电路进一步基于该第二侦测节点的电压和该第二崩溃电压决定该静电放电电压之该层级。如申请专利范围第1项所述之静电放电侦测电路，其中该第一二极体单元包含以串联方式耦合的复数个二极体。如申请专利范围第2项所述之静电放电侦测电路，其中在该第一二极体单元中的该复数个二极体皆具有相同的崩溃电压，并且该第一崩溃电压为该复数个二极体之崩溃电压的总和。如申请专利范围第1项所述之静电放电侦测电路，其中该第二二极体单元包含以串联方式耦合的复数个二极体。如申请专利范围第4项所述之静电放电侦测电路，其中在第二二极体单元中的复数个二极体皆具有相同的崩溃电压，并且该第二崩溃电压为该复数个二极体之崩溃电压的总和。如申请专利范围第1项所述之静电放电侦测电路，其中该控制电路包含：一闩锁，耦合至该第一侦测节点，用以锁定该第一侦测节点的电压。如申请专利范围第6项所述之静电放电侦测电路，其中该闩锁为一设定/重设闩锁，并且该闩锁在该静电放电电压之该层级被决定后会被重设。如申请专利范围第1项所述之静电放电侦测电路，其中该控制电路包含：一闩锁，耦合至该第一侦测节点，用以锁定一根据该第一侦测节点的电压而改变的相对电压。如申请专利范围第8项所述之静电放电侦测电路，其中该控制电路进一步包含：一N型金氧半导体，该N型金氧半导体的闸极耦合至该第一侦测节点，该N型金氧半导体的源极耦合至该接地节点，该N型金氧半导体的汲极耦合至该闩锁，并且该相对电压为该N型金氧半导体之汲极的电压。如申请专利范围第9项所述之静电放电侦测电路，其中该控制电路进一步包含：一P型金氧半导体，该P型金氧半导体的闸极耦合至一重设接脚，该P型金氧半导体的源极耦合至该电源线，该P型金氧半导体的汲极耦合至该N型金氧半导体的汲极；其中当该静电放电侦测电路在等待该静电放电电压时，一高电压系提供至该重设接脚，当该静电放电电压之该层级被决定后，一低电压系提供至该重设接脚。