发光元件模组的制作方法

摘要

一种发光元件模组的制作方法，包含(a)准备磊晶用基材，(b)在基材表面形成牺牲层，(c)在牺牲层上形成与牺牲层具有高蚀刻选择比的磊晶层，(d)定义出多数彼此间隔且交错排列并将磊晶层界定出多数发光单元的导流沟，(e)将永久基板设置在该等发光单元上，且将导流沟形成导流道(f)将蚀刻剂通入该等导流道中蚀刻移除牺牲层，而使基材与该等发光单元分离，制得发光元件模组。

主权项

一种发光元件模组的制作方法，包含：(a)准备一磊晶用基材；(b)在该基材表面形成一与该基材具有高蚀刻选择比的牺牲层；(c)在该牺牲层上形成一与该牺牲层具有高蚀刻选择比的磊晶层；(d)形成多数彼此间隔排列的导流沟，且该等导流沟共同配合将该磊晶层界定出多数发光单元；(h)利用一光阻材料形成一配合于该等导流沟的光阻层，其中，该光阻层具有一填置于该等导流沟的底层部，及一自该底层部向上高出该相邻发光单元顶面的分隔层部；(e)将一由具有高热传导系数材料以电镀增厚方式自该等发光单元向上增厚至厚度大于该分隔层部顶面而形成一永久基板，接着将该光阻层移除，即可得到复数个由该永久基板与该等导流沟界定形成的复数导流道；及(f)将一蚀刻剂通入该等导流道中，使蚀刻剂流经该等导流道将该牺牲层移除，而使该基材与该等发光单元分离。依据申请专利范围第1项所述的一种发光元件模组的制作方法，其中，该牺牲层的厚度为0.1μm~10μm。依据申请专利范围第1项所述的一种发光元件模组的制作方法，更包含一实施于该步骤(d)之前的步骤(g)，在该磊晶层上形成一导电层。依据申请专利范围第2项所述的一种发光元件模组的制作方法，其中，该步骤(d)更包括形成复数配合该每一导流沟自该基材表面向下形成的下导流空间。