半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种能提升经覆晶安装之半导体晶片的散热性之半导体装置。半导体装置10包含：基板20、覆晶安装于基板20之半导体晶片30及密封半导体晶片30周围之密封树脂层40。在半导体晶片30周围形成有密封半导体晶片30之密封树脂层40。在此半导体装置10中，半导体晶片30之背面系露出，且相对于密封树脂层40之上面为凸部。

主权项

一种半导体装置，其特征为包含：基板；半导体晶片，其系以表面面朝下后之状态安装于前述基板；及模树脂层，其系密封前述半导体晶片；前述半导体晶片之背面从前述模树脂露出，且于前述半导体晶片附近的前述模树脂层设有底部较前述半导体晶片之背面低的沟；前述半导体晶片之背面相对于前述模树脂层之上面为凹部。一种半导体装置，其特征为包含：基板；半导体晶片，其系以表面面朝下后之状态安装于前述基板；及模树脂层，其系密封前述半导体晶片；前述半导体晶片之背面从前述模树脂露出，且于前述半导体晶片附近的前述模树脂层设有底部较前述半导体晶片之背面低的沟；前述模树脂层之上面与前述半导体晶片之背面的高度相等。如请求项1或2之半导体装置，其中于形成有前述沟之区域以外之前述模树脂层的上面设有阶差。如请求项3之半导体装置，其中前述半导体晶片附近之前述模树脂层之上面较其周缘部分之前述模树脂层的上面高。一种半导体装置之制造方法，其特征为包含：将表面面朝下后之半导体晶片覆晶安装于设有布线图案之基板的步骤；及在将具有与前述半导体晶片之背面接触之晶片接触面与位于该晶片接触面周围而用以将模树脂层成型之树脂成型面的上模及搭载有前述基板的下模予以按压的状态下，将模树脂充填于前述上模与前述基板之间所形成之空间之步骤；在充填前述模树脂的步骤中，使用晶片接触面附近的树脂成型面设有沟成型部的上模，且系使用晶片接触面之高度位于沟成型部以外之树脂成型面的主要表面之高度与沟成型部上面之高度之间的上模。一种半导体装置之制造方法，其特征为包含：将表面面朝下后之半导体晶片覆晶安装于设有布线图案之基板的步骤；及在将具有与前述半导体晶片之背面接触之晶片接触面与位于该晶片接触面周围而用以将模树脂层成型之树脂成型面的上模及搭载有前述基板的下模予以按压的状态下，将模树脂充填于前述上模与前述基板之间所形成之空间之步骤；在充填前述模树脂的步骤中，使用晶片接触面附近的树脂成型面设有沟成型部的上模，且系使用晶片接触面之高度与沟成型部以外之树脂成型面之主要表面之高度相等的上模。一种半导体装置之制造方法，其特征为包含：将表面面朝下后之半导体晶片覆晶安装于设有布线图案之基板的步骤；及在将具有树脂成型面之上模、及可使设于前述上模之贯通孔朝开模闭模方向移动的可动模与搭载有基板的下模予以按压的状态下充填模树脂的步骤；前述可动模具有：与前述半导体晶片之背面接触的晶片接触面；设于前述晶片接触面之外侧附近之沟成型用的沟成型部；及设于沟成型部之外侧附近的阶差形成部。