半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，包括提供基底，依序形成高介电常数层及半导体层，移除部份半导体层，其在第一区及第二区分别具第一及第二厚度，形成硬遮罩层，将硬遮罩层、半导体层、及高介电常数层图案化以于第一区及第二区分别形成第一闸极结构及第二闸极结构，于基底上形成层间介电层，进行研磨，大抵停止在第一闸极结构之半导体层，自第一闸极结构移除半导体层而形成第一沟槽，第二闸极结构之硬遮罩层保护其下之半导体层，以第一金属层填充第一沟槽，自第二闸极结构移除硬遮罩层及半导体层而形成第二沟槽，以及以第二金属层填充第二沟槽。