发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE A ELECTRODE ENTERREE PAR REPORT DIRECT ET STRUCTURE AINSI OBTENUE
摘要 <p>On décrit un dispositif de type Microsystème et/ou Nano-système comportant : - un premier substrat (100), comportant au moins une électrode (102), dite électrode inférieure, et au moins une couche diélectrique (103), - un substrat intermédiaire (200'), s'étendant suivant un plan, dit plan principal du dispositif, comportant une partie mobile (210), - un substrat supérieur (300), assemblé au substrat intermédiaire (200'), ladite partie mobile pouvant être mise en mouvement entre l'électrode inférieure et le substrat supérieur.</p>
申请公布号 FR2977885(A1) 申请公布日期 2013.01.18
申请号 FR20110056351 申请日期 2011.07.12
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES;FREESCALE SEMICONDUCTOR INC 发明人 BERTHELOT AUDREY;LARREY VINCENT;POLIZZI JEAN-PHILIPPE;VAUDAINE MARIE-HELENE;DESAI HEMANT;PARK WOO TAE
分类号 B81C1/00;B81B7/02 主分类号 B81C1/00
代理机构 代理人
主权项
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