| 摘要 |
1. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений содержит МОП-транзистор, шину высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, выходную шину, отличающаяся тем, что, с целью повышение качества детектирования, т.е. спектральной чувствительности и линейности усиления детектора, МОП-транзистор является обедненным транзистором n (p) типа проводимости (т.е. имеет встроенный канал), при этом его подзатворная область подсоединена к общей шине питания, сток к выходной шине, а затвор соединен с анодом (катодом) диода и с первым выводом резистора, катод (анод) диода подсоединен к шине высокого положительного (отрицательного) напряжения питания, второй вывод резистора подсоединен к шине отрицательного (положительного) напряжения смещения.2. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений по п.1, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения мощности потребления, она содержит дополнительный транзистор n (p) типа проводимости, причем его затвор подсоединен к затвору первого n (p) МОП-транзистора, сток к стоку первого транзистора, исток и подзатворная область к дополнительному источнику положительного (отрицательного) напряжения питания.3. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений по п.1, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения (одновременного измерения 2 координат), содержит второй, обедненный n (p) типа МОП-транзистор, причем его исток, подзатворная область и затвор соединены с соответствующими областями первого МОП-транзистора, а его сток соединен с второй выходной шиной.4. МОП диодная ячейка монолитного детектора излучений по п.1 или 3, отличающаяся тем, что, с целью увеличения быстро� |
