藉由偏斜式预非晶形化而减少受应变之电晶体中之晶体缺陷之技术

摘要

藉由基于受应力之上覆材料而进行偏斜式非晶形化植入(tilted amorphization implantation)以及随后的再结晶，提供一种高度有效的应变引发机构(strain－inducing mechanism)。该偏斜式非晶形化植入在再结晶制程期间可导致缺陷比率(defect rate)明显减少，从而实质上减少精密电晶体元件中的漏电流。