| 摘要 |
本发明揭示用于微影装置之光罩，用于制造此等光罩之方法，及用于使用此等光罩使光敏材料曝光以在半导体晶圆上形成微特征之阵列之方法。在一实施例中，一制造一光罩之方法包含在一基板上形成一光罩层，及识别该光罩层中对应于一第一特征位点之一第一开口，一聚焦区处之该第一特征位点之辐射强度小于该聚焦区处之一第二特征位点之辐射强度，该第二特征位点对应于该光罩中之一第二开口。该第二开口邻近或至少最接近该第一开口。该方法可进一步包括在该第一开口处形成一第一表面，且在该第二开口处形成一第二表面，使得通过该第二开口之辐射在该聚焦区处建设性地干扰通过该第一开口之辐射。 |
