发明名称 |
记忆体及具有记忆体的系统 |
摘要 |
一由多个晶胞形成的阵列,其中各晶胞是由一具有第一、第二区及一控制区的双极接面选择电晶体形成。该晶胞包含形成该等选择电晶体之第二区的一共用区,以及覆盖该共用区的多个共享控制区。共享控制区各形成多个毗邻选择电晶体的控制区,以及容纳多个毗邻选择电晶体的第一区与该共享控制区的接点部份。由多个选择电晶体中之数个毗邻选择电晶体组成的区块共享一接点部份,而且毗邻选择电晶体之一区块的第一区在两个接点部份之间沿着该共享控制区排列。在毗邻选择电晶体的成对第一区之间形成多个偏压结构,用来修改该共享控制区在该等偏压结构之下的电荷分布。 |
申请公布号 |
TWI386949 |
申请公布日期 |
2013.02.21 |
申请号 |
TW097112148 |
申请日期 |
2008.04.03 |
申请人 |
英特尔公司 美国 |
发明人 |
皮洛文欧 雅哥斯堤诺;派莱查 法毕欧 |
分类号 |
G11C7/18;G11C16/06;H01L27/24 |
主分类号 |
G11C7/18 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |