半导体装置及其制造方法和横向扩散金氧半电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，包括一半导体基板，上述半导体基板具有一第一导电类型；一井区，形成于上述半导体基板中，其具有一第二导电类型；一绝缘区，从部分上述井区上方延伸至未形成上述井区的上述半导体基板上方；一第一掺杂区，位于上述井区中，其中部分上述第一掺杂区系直接位于上述绝缘区的下方；一第二掺杂区，位于未形成上述井区的上述半导体基板中，其中整个上述第二掺杂区系直接位于部分上述绝缘区的下方，上述第一掺杂区和上述第二掺杂区为利用同一遮罩形成且具有上述第一导电类型；一闸极，位于上述绝缘区上。