氮化物半导体结构及其制造方法

摘要

一种氮化物半导体基板，包括一磊晶基板、一图案化的氮化物半导体柱层、一氮化物半导体膜层及一罩幕层。上述氮化物半导体柱层是由数个图案化排列的第一空洞结构和形成于第一空洞结构之间的奈米尺寸之图案化排列的第二空洞结构所构成。氮化物半导体柱层形成于磊晶基板上，氮化物半导体膜层则形成于氮化物半导体柱层上。罩幕层则覆盖在氮化物半导体柱层和磊晶基板之表面。此外，上述氮化物半导体基板如藉由分离制程，使氮化物半导体膜层自磊晶基板分离，即成为一氮化物半导体独立基板。