发明名称 多阶式接触转印制程
摘要 一种多阶式接触转印制程,其包含下列步骤。提供模仁,其中模仁之一表面设有一图案结构。此图案结构系一阶梯状结构,且此图案结构包含复数个阶梯面,这些阶梯面之一最高者位于前述模仁之表面。形成复数个转印材料层分别覆盖在前述之阶梯面上。提供复数个基板,其中每一基板之一表面上覆盖有一接触黏附层。进行复数个转印步骤,以使前述阶梯面上之转印材料层由高而低地分别转移至前述基板之接触黏附层上。
申请公布号 TWI386761 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW098137863 申请日期 2009.11.06
申请人 国立成功大学 台南市东区大学路1号 发明人 李永春;陈俊宏
分类号 G03F7/09;G03F7/12 主分类号 G03F7/09
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 台南市东区大学路1号