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发明名称
具有多通道之半导体元件与其制造方法
摘要
本发明实施例系关于一种具有多通道之半导体元件及其制造方法。在一观点中,该半导体元件包含:半导体基板,其中形成隔离层;复数沟渠,于半导体基板之主动区内形成;及通道主动区,架构以连接每一沟渠区中之相对侧壁及具有用作通道区之表面。
申请公布号
TWI388057
申请公布日期
2013.03.01
申请号
TW096147635
申请日期
2007.12.13
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
金大植
分类号
H01L29/772;H01L21/335
主分类号
H01L29/772
代理机构
代理人
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址
南韩
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