发明名称 具有多通道之半导体元件与其制造方法
摘要 本发明实施例系关于一种具有多通道之半导体元件及其制造方法。在一观点中,该半导体元件包含:半导体基板,其中形成隔离层;复数沟渠,于半导体基板之主动区内形成;及通道主动区,架构以连接每一沟渠区中之相对侧壁及具有用作通道区之表面。
申请公布号 TWI388057 申请公布日期 2013.03.01
申请号 TW096147635 申请日期 2007.12.13
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 金大植
分类号 H01L29/772;H01L21/335 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 南韩