| 发明名称 | 发射辐射的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发射辐射的半导体器件，具有芯片连接区（3），发射辐射的半导体芯片（1），以及光吸收材料（4），其中发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）覆盖的位置处用该光吸收材料（4）覆盖，以及发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。 | ||
| 申请公布号 | CN102947957A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201180015349.7 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | M.维特曼恩 |
| 分类号 | H01L33/44(2006.01)I;H01L33/48(2006.01)I;H01L33/52(2006.01)I;H01L33/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;卢江 |
| 主权项 | 发射辐射的半导体器件，具有－芯片连接区（3），－发射辐射的半导体芯片（1），－以及光吸收材料（4），其中－发射辐射的半导体芯片（1）固定在芯片连接区（3）处，－芯片连接区（3）在所述芯片连接区没有被发射辐射的半导体芯片（1）掩盖的位置处用光吸收材料（4）覆盖，以及－发射辐射的半导体芯片（1）局部地没有光吸收材料（4）。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||