发明名称 形成磁通道接面装置之方法
摘要 本发明揭示一种制造一磁通道接面装置之方法,其包括在一基板中形成一沟槽、在该沟槽内沈积一导电端子及在该沟槽内沈积一磁通道接面(MTJ)结构。该MTJ结构包括一具有一固定磁定向之固定磁层、一通道接面层及一具有一可组态磁定向之自由磁层。该固定磁层沿着一大体上正交于该基板之一表面延伸之界面耦接至该导电端子。邻近于该导电端子之该自由磁层载运一经调适以储存一数位值之磁域。
申请公布号 TWI393281 申请公布日期 2013.04.11
申请号 TW098107169 申请日期 2009.03.05
申请人 高通公司 美国 发明人 李霞
分类号 H01L43/12;H01L43/02 主分类号 H01L43/12
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国