具有浮动闸、控制闸、选择闸及具有在该浮动闸上方之突出部的抹除闸之改良分裂闸极非依电性快闪记忆体晶胞、阵列及制造方法

摘要

一种改良分裂闸极非依电性记忆体晶胞在一第一导电型的一实质上单晶基体中被制造，该晶胞具有一第二导电型的一第一区域、该第二导电型的一第二区域及该基体中的该第一区域与该第二区域之间的一通道区。该晶胞具有在该通道区的一部分上方的一选择闸、在该通道区的另一部分上方的一浮动闸、在该浮动闸上方的一控制闸、及与该浮动闸相邻的一抹除闸。该抹除闸具有在该浮动闸上方延伸的一突出部。该突出部的尺寸与在该浮动闸与该抹除闸之间的垂直距离的尺寸之比大约在1.0与2.5之间，这可提高抹除效率。