| 摘要 |
本发明系一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)电晶体(10)，具有一萧基二极体(28，16)插入LDMOS电晶体(10)的掺杂区中心。典型的LDMOS电晶体在中心处具有一漂移区(16)。此时，萧基二极体(28，16)插入该漂移区(16)的中心，该漂移区(16)具有提供从源极(22)顺向连接到汲极(24)的萧基二极体(28，16)的效应，使得汲极电压被箝制到比PN接面之临界电压还低的电压，藉以避免顺向偏压该PN接面(16，12)。另一方式是，将萧基二极体(60，44)插到形成源极(54)的位阱(48)上，且是在LDMOS电晶体(40)的周围。在这种情形下，会以不同方式形成萧基二极体(60，44)，但仍然是从源极(54)顺向连接到汲极(56)，以达成箝制到汲极(56)的所需电压。 |
