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经营范围
发明名称
低温薄膜电晶体制程、装置特性、和装置稳定性改进
摘要
一种用以形成一薄膜电晶体的方法和设备。一闸极介电层形成,它可能是双层的,第一层沉积以一低速率沉积,而第二层则以一高速率沉积。在一些实施例中,该第一介电层是一富矽氮化矽层。一主动层形成,它亦可能是双层的,第一主动层以一低速率沉积,而第二主动层则以一高速率沉积。本文所述之薄膜电晶体具有优良的迁移率和压力下的稳定度。
申请公布号
TWI393191
申请公布日期
2013.04.11
申请号
TW098112847
申请日期
2009.04.17
申请人
应用材料股份有限公司 美国
发明人
杨雅棠;朴范洙;元泰景;崔寿永;怀特约翰M
分类号
H01L21/336;H01L29/786
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
美国
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