发明名称 |
VERBESSERUNG DES POLYSILICIUM/METALL- KONTAKTWIDERSTANDS IN EINEM TIEFEN GRABEN |
摘要 |
Ein Verfahren zum Bilden einer Grabenstruktur, welches das Bilden einer metallhaltigen Schicht zumindest auf den Seitenwänden eines Grabens und das Bilden eines undotierten Halbleiter-Füllmaterials innerhalb des Grabens aufweist. Das undotierte Halbleiter-Füllmaterial und die metallhaltige Schicht werden mit einer ersten Ätzbehandlung bis zu einer ersten Tiefe innerhalb des Grabens zurückgenommen. Das undotierte Halbleiter-Füllmaterial wird anschließend mit einer zweiten Ätzbehandlung bis zu einer zweiten Tiefe innerhalb des Grabens zurückgenommen, die größer als eine erste Tiefe ist. Durch die zweite Ätzbehandlung wird zumindest ein Seitenwandabschnitt der metallhaltigen Schicht frei gelegt. Der Graben wird mit einer dotierten Halbleiter enthaltenden Materialfüllung gefüllt, wobei die dotierte Halbleitermaterialfüllung mit dem zumindest einen Seitenwandabschnitt der metallhaltigen Schicht in direktem Kontakt steht.
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申请公布号 |
DE102012220825(A1) |
申请公布日期 |
2013.06.06 |
申请号 |
DE201210220825 |
申请日期 |
2012.11.15 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
MESSENGER, BRIAN W.;PARRIES, PAUL C.;PEI, CHENGWEN;WANG, GENG;ZHANG, YANLI |
分类号 |
H01L27/12;H01L21/768;H01L21/8242;H01L21/84;H01L23/52;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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