发明名称 |
集成电路器件、无线通信单元及其制造方法 |
摘要 |
集成电路器件(200)包括至少一个射频(RF)收发器模块(210)。该至少一个RF收发器模块(210)包括多个低噪声放大器(LNA)(220、223、226),在其输入(221、224、227)处可操作地耦合于集成电路器件(200)的外部接触(202、204)并且被设置为从相应的外部接触(202、204)接收RF信号、放大接收的RF信号、以及输出(222、225、228)放大的RF信号。至少一个收发器模块(210)还包括多个功率放大器(PA)模块(230、235),在其输出(231、236)处可操作地耦合于集成电路器件的外部接触(202、204),并且被设置为在其输入(232、237)处接收将被传输的RF信号、放大将被传输的接收的RF信号、以及输出(231、236)放大的信号。多个LNA(220、223、226)和多个PA(230、235)选择性地可配置为以至少一个第一、多天线配置和第二、单一天线高传输功率配置操作。 |
申请公布号 |
CN103155426A |
申请公布日期 |
2013.06.12 |
申请号 |
CN201080069623.4 |
申请日期 |
2010.10.15 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
劳伦特·戈捷 |
分类号 |
H04B1/40(2006.01)I;H04B7/04(2006.01)I |
主分类号 |
H04B1/40(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
谢晨;刘光明 |
主权项 |
一种集成电路器件(200),包括至少一个射频(RF)收发器模块(210);所述至少一个RF收发器模块(210)包括:多个低噪声放大器(LNA)(220、223、226),具有操作地耦合于所述集成电路器件(200)的至少一个外部接触(202、204)的相应的输入端口(221、224、227)并且被设置为从所述至少一个外部接触(202、204)接收第一RF信号以及输出(222、225、228)放大的接收的第一RF信号;以及多个功率放大器(PA)(230、235),具有操作地耦合于所述集成电路器件(200)的所述至少一个外部接触(202、204)的相应的输出端口(231、236),并且被设置为在相应的功率放大器输入端口(232、237)处接收第二RF信号以及输出(231、236)将被传输的放大的第二RF信号;其中所述多个LNA(220、223、226)和所述多个PA(230、235)选择性地可配置为以至少第一、多天线配置和第二、单一天线高传输功率配置操作。 |
地址 |
美国得克萨斯 |