一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底，所述衬底的上部设有场氧及N+扩散区；所述N+扩散区的正上方设置贯通注入掩蔽层及腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，所述注入掩蔽层覆盖衬底上部的N+扩散区及场氧上，腐蚀掩蔽层覆盖于注入掩蔽层上；所述腐蚀掩蔽层上设置ONO介质层，所述ONO介质层覆盖在腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，ONO介质层与反熔丝孔底部的N+扩散区接触，ONO介质层上覆盖有上电极板。本发明工艺步骤简单，能改善熔丝单元击穿电压的均匀性，降低编程时间和编程后熔丝导通电阻，工艺兼容性好，安全可靠。

主权项

一种ONO反熔丝单元结构，包括下电极板，所述下电极板包括衬底（11），所述衬底（11）的上部设有场氧（12）及N+扩散区（13）；其特征是：所述N+扩散区（13）的正上方设置贯通注入掩蔽层（14）及腐蚀掩蔽层（15）的反熔丝孔（20），所述注入掩蔽层（14）覆盖衬底（11）上部的N+扩散区（13）及场氧（12）上，腐蚀掩蔽层（15）覆盖于注入掩蔽层（14）上；所述腐蚀掩蔽层（15）上设置ONO介质层，所述ONO介质层覆盖在腐蚀掩蔽层（15）上，并填充在反熔丝孔（20）内，ONO介质层与反熔丝孔（20）底部的N+扩散区（13）接触，ONO介质层上覆盖有上电极板（19）。