发明名称 NAND flash memory device having contact for controlling well potential
摘要 <p>웰 전위 제어용 콘택을 가지는 NAND 플래시 메모리 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 NAND 플래시 메모리 소자는 기판에서 제1 방향으로 연장되어 있고 제1 웰이 형성되어 있는 라인 형상의 복수의 활성 영역과, 복수의 활성 영역에 교차하도록 제1 웰 위에서 제2 방향으로 연장되어 있는 한 쌍의 더미 워드 라인을 포함한다. 한 쌍의 더미 워드 라인은 상호 소정 거리 만큼 이격되어 있는 제1 더미 워드 라인 및 제2 더미 워드 라인으로 이루어진다. 제1 더미 워드 라인 및 제2 더미 워드 라인에는 항상 0 V의 바이어스 전압이 인가되는 상태로 유지되어, 복수의 활성 영역 중 제1 더미 워드 라인 및 제2 더미 워드 라인 사이에 위치되는 부분은 그 활성 영역의 다른 부분과는 전기적으로 독립되어 있다. 상기 제1 더미 워드 라인과 제2 더미 워드 라인과의 사이에 위치되는 활성 영역에는 제1 웰에 웰 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 인가용 콘택이 형성되어 있다.</p>
申请公布号 KR101274202(B1) 申请公布日期 2013.06.14
申请号 KR20070132683 申请日期 2007.12.17
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
地址