发明名称 具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜激光二极管的制造方法
摘要 本发明公开了一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在蓝宝石衬底的上表面上;氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
申请公布号 CN103166114A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201310067247.0 申请日期 2013.03.01
申请人 溧阳华晶电子材料有限公司 发明人 钱时昌
分类号 H01S5/327(2006.01)I 主分类号 H01S5/327(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 蒋家华
主权项 具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管的制造方法,该方法依次包括如下步骤:第一步,选取蓝宝石作为衬底,将该衬底放置到具有无水乙醇的超声波振荡器中进行清洗,以去除衬底表面的油脂,然后再将其放置到具有去离子水的超声波振荡器中进行清洗,以去除残余的无水乙醇;第二步,将所述衬底放入磁控溅射反应室中,通过射频磁控溅射工艺在所述衬底上形成300‑600nm厚度的氧化镍薄膜;第三步,将纯度为99.99%的氧化锌粉末、镁的摩尔含量为5‑11%的氧化镁粉末进行混合,然后压制形成靶材;第四步,将完成第一步工艺的衬底放入磁控溅射反应室中,向该磁控溅射反应室通入氮的摩尔含量为0.8‑1.7%的NO、NO2混合气体后施加射频功率,该射频功率使得NO和NO2气体活化,并将靶材溅射沉积在衬底之上,从而在衬底上形成厚度为300‑400nm的氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜;第五步,对完成第四步的衬底进行热退火,退火气氛为氧气,退火温度为700℃,退火时间为40分钟,退火后自然冷却;第六步,在所述衬底的下表面上和所述氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的上表面上溅射电极材料,从而分别形成底电极和顶电极。
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