半导体元件及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种半导体元件与制作此半导体元件的方法。根据本发明之半导体元件包含有基板、穿隧层、铪钆奈米晶粒层、控制氧化层以及闸极。其中，基板具有源极和汲极，而穿遂层形成于基板上并位于源极以及汲极之间。铪钆奈米晶粒层形成于穿隧层上，特别地，铪钆奈米晶粒层中包含复数个奈米晶粒。此外，控制氧化层形成于铪钆奈米晶粒层上，而闸极则形成于该控制氧化层上。