发明名称 具高分子基震荡薄膜之电容式超音波换能器的制作方法
摘要 本发明系一种具高分子基振荡薄膜之电容式超音波换能器的制作方法,主要以一高分子基薄膜制作流程形成用以作为振动薄膜的高分子材料层,以及一支撑座制作流程形成支撑座,再藉由一换能器制作流程将高分子材料层与支撑座黏压构成换能器之空腔结构,由于藉薄膜黏合方式制作超音波换能器的振动薄膜毋需制作蚀刻孔洞,故不存在蚀刻孔洞不易封孔的问题,使高分子基电容式超音波换能器之应用范围可扩及于水中环境。
申请公布号 TWI401975 申请公布日期 2013.07.11
申请号 TW097147744 申请日期 2008.12.09
申请人 国立高雄应用科技大学 高雄市三民区建工路415号 发明人 庞大成
分类号 H04R31/00;B81B7/00 主分类号 H04R31/00
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 高雄市三民区建工路415号
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