用于高电压超接面终止之方法

摘要

制造具有一活性区和一终止区之一半导体元件之一种方法包括提供具有相互对置的第一和第二主表面之一半导体基底。该半导体基底具有一活性区和包围该活性区之一终止区。该第一主表面被氧化。多个第一沟渠和多个第一凸台形成于该终止区里。该终止区里之该等多个第一沟渠用一介电质材料填充。一多个第二沟渠位于该终止区里。该等多个第二沟渠用该介电质材料填充。