发明名称 |
缺陷修补结构及缺陷修补方法 |
摘要 |
本发明提供一种缺陷修补结构及缺陷修补方法。该修补结构具有复数层之结构,以修补具有缺陷之线路图案。另外,本发明提供之缺陷修补方法主要系利用具有复数层结构之转移材料接受电磁波光源照射后产生的碰撞压力,亦即直接来自光子撞击所产生的光压,辅以电磁波能量产生打断分子键结或爆炸现象,使材料转移至欲修补之区域中。透过本发明提供之结构与方法可以可解决传统转移材料时,修补材料因受光源照射后产生热影响之现象,而使得材料易氧化及应力破坏的问题。 |
申请公布号 |
TWI401487 |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
TW096111254 |
申请日期 |
2007.03.30 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
廖仕杰;陈辉达;王仪龙 |
分类号 |
G02F1/13 |
主分类号 |
G02F1/13 |
代理机构 |
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代理人 |
刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |