发明名称 |
发光二极体元件的制造方法 |
摘要 |
本发明系提供一种发光二极体元件的制造方法以及将发光二极体元件从生长基底分离,该发光二极体元件系经由在生长基底之上形成发光二极体结构而形成,该方法包括形成并图案化遮罩层于生长基底上,形成第一接触层于图案化遮罩层之上,使得第一接触层与图案化遮罩层之间具有空气架桥,第一接触层可以是发光二极体结构的接触层,于发光二极体结构形成之后,沿着空气架桥将生长基底与发光二极体结构分离。 |
申请公布号 |
TWI401823 |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
TW098130491 |
申请日期 |
2009.09.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
陈鼎元;林宏达;余振华;邱文智 |
分类号 |
H01L33/00;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |