发明名称 |
电晶体及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种电晶体,其包括:第一导电类型之基板,第二导电类型之汲极区和源极区,闸极,闸极氧化层,第一导电类型之调节植入区,及平面接面。在基板中配置汲极区和源极区;在源极区和汲极区之间的基板上配置闸极,且闸极与基板系被闸极氧化层分隔;在闸极氧化层下与基板中配置调节植入区;调节植入区具有比第一掺杂浓度高之第二掺杂浓度;调节植入区和汲极区系以预定形状形成具有指向汲极区的平面接面的表面曲率,进而释放平面接面之一所在位置的电场强度。 |
申请公布号 |
TWI404211 |
申请公布日期 |
2013.08.01 |
申请号 |
TW098102369 |
申请日期 |
2009.01.22 |
申请人 |
凹凸科技国际股份有限公司 英属盖曼群岛 |
发明人 |
乌德瑞 斯班内 玛利安;庞贝斯库 萧邦 米哈依;利普赛依 拉兹洛 |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
谢振中 台北市松山区民生东路4段54号11楼 |
主权项 |
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地址 |
英属盖曼群岛 |