蚀刻二氧化矽层的组成、使用该组成蚀刻半导体元件的方法以及蚀刻半导体元件的组成

摘要

蚀刻二氧化矽层的组成、蚀刻半导体元件的方法以及蚀刻半导体元件的组成，其中半导体元件包括二氧化矽层与氮化物层，所述组成包括氟化氢、阴离子聚合物以及去离子水，其中基于蚀刻二氧化矽层的组成之总重，所包括的阴离子聚合物的总量为大约0.001 wt%至大约2wt%，且所述组成对二氧化矽层比上氮化物层的蚀刻选择比为大约80或更高。