发明名称 |
控制闸极轮廓之进阶制程控制方法与系统 |
摘要 |
一种进阶制程控制方法,用以制造一半导体元件,以改善其效能。此方法可包含提供一基材;进行复数个制程,以于前述基材上形成一闸极堆,其中前述闸极堆包括一闸极层;在前述制程之至少一者后,测量前述闸极层之一晶粒尺寸测量值;判断前述晶粒尺寸测量值是否在一目标范围内;以及倘若前述晶粒尺寸测量值不在上述目标范围内,修改前述制程之至少一者的一制程参数。 |
申请公布号 |
TWI403916 |
申请公布日期 |
2013.08.01 |
申请号 |
TW098138448 |
申请日期 |
2009.11.12 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
吴志仁;黄振铭;杜安群 |
分类号 |
G06F19/00;G05B19/418;H01L21/00 |
主分类号 |
G06F19/00 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |