发明名称 控制闸极轮廓之进阶制程控制方法与系统
摘要 一种进阶制程控制方法,用以制造一半导体元件,以改善其效能。此方法可包含提供一基材;进行复数个制程,以于前述基材上形成一闸极堆,其中前述闸极堆包括一闸极层;在前述制程之至少一者后,测量前述闸极层之一晶粒尺寸测量值;判断前述晶粒尺寸测量值是否在一目标范围内;以及倘若前述晶粒尺寸测量值不在上述目标范围内,修改前述制程之至少一者的一制程参数。
申请公布号 TWI403916 申请公布日期 2013.08.01
申请号 TW098138448 申请日期 2009.11.12
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 吴志仁;黄振铭;杜安群
分类号 G06F19/00;G05B19/418;H01L21/00 主分类号 G06F19/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号