制作埋藏式位元线与单侧位元线接触窗之方法及结构

摘要

一种制作埋藏式位元线之方法，包含有提供一半导体基底；进行一第一蚀刻制程，于该基底内形成复数个第一沟渠；于该等第一沟渠内形成一第一保护层；进行一第二蚀刻制程，于该等第一沟渠底部形成复数个第二沟渠；于该等第二沟渠内形成一第二保护层与一第三保护层；移除部分该第一保护层暴露出部分该第一沟渠之侧壁；于该等第一沟渠之侧壁形成一第四保护层；移除部分该第一保护层与该第三保护层，形成复数个开口；透过该开口于该基底内形成一接触窗；以及于该第一沟渠与该第二沟渠内形成一金属复合层。